Gönderi, küçük bir sinyal, düşük güçlü N-kanallı mosfet 2N7000G'nin ana özelliklerini ve bağlantılarını açıklıyor.

Mosfets ve BJT'ler

Mosfetlerden bahsettiğimizde, normalde onu yüksek akım, yüksek voltaj ve yüksek güçlü uygulamalarla ilişkilendiririz.

Bununla birlikte, sıradan BJT'ler gibi, BJT muadilleri kadar etkili bir şekilde kullanılabilecek küçük sinyal mosftleri de mevcuttur.

Mosfetler, son derece yüksek güç sağlama kabiliyetleri ve genel boyutları ile daha küçük olmaları nedeniyle popülerdir.

BJT'lerin aksine, mosfetler, boyut olarak büyümeden ve ara tampon aşamalarını veya yüksek akım sürücü aşamalarını içermeden büyük akımları ve gerilimleri idare ederdi.

Mosfet Nasıl Tetiklenir

Bir mosfet kullanmanın en büyük avantajı, kapı tahrik akımından bağımsız olarak belirli bir yükü çalıştırmak için istenildiği gibi tetiklenebilmesidir.

“rüzgar türbinleri için çift beslemeli asenkron jeneratör sistemleri ”

Yukarıdaki özellik, mosfetlerin tampon aşamalarına ihtiyaç duymadan CMOS veya TTL çıkışları gibi düşük akım kaynaklarından doğrudan tetiklenmesini sağlar, bu BJT'lerle karşılaştırıldığında büyük bir farktır.

“jammer nasıl yapılır ”

Yukarıdaki özellik, çok verimli sonuçlar elde etmek için BC547 gibi küçük sinyalli BJT'ler için doğrudan değiştirilebilen küçük sinyalli mosfetler için de geçerlidir. Böyle küçük bir sinyal mosfet veri sayfası, spesifikasyon burada tartışılmaktadır.

N-kanallı 2N7000G mosfet, tipik olarak maksimum 200mA ve 60V aralığındaki küçük sinyal uygulamaları için uygundur.

Boşaltma ve kaynak terminalleri boyunca Açık durum direnci tipik olarak yaklaşık 5 ohm'dur. Bu küçük sinyalin şebeke özellikleri, düşük güçlü mosfet aşağıda listelenmiştir:

Ana Elektriksel Özellikler:

Drenaj kaynağı voltajı Vdss = 60V DCGate - Kaynak voltajı Vgs = +/- 20V DC, +/- 40V DC pik tekrarlı değil, 50 mikrosaniyeyi aşmayan Boşaltma akımı Id = 200mA DC sürekli, 500mA darbeli

Tc = 250 C'de toplam güç kaybı Pd (bağlantı sıcaklığı) = 350 mW Pimler ve paket ayrıntıları burada görülebilir: